HAC201-8000系列產品是本公司為晶體硅異質結太陽電池量產制造開發(fā)的熱絲CVD（HoFCVD）系統(tǒng)，由如下圖所示的主鍍膜機臺（基于立式HoFCVD工藝）、上下料自動化系統(tǒng)、低價優(yōu)質的熱絲耗材以及全套的baseline工藝構成的整套HoFCVD鍍膜裝備技術。該系統(tǒng)可以IN-IP兩臺鍍膜機構成，也可I-IN-P三臺鍍膜機構成，設備產能8000片/小時，baseline工藝電池效率可達25.0%以上。
該型號的IN-IP兩臺機構成，其基本性能如下表所示：
| 產能（片/小時） | 8000 |
| 節(jié)拍 | ≤110s |
| 單載板片數(shù) | 120（166-182mm） |
| 熱絲來源 | 自主技術 |
| 沉積材料 | P/I/N a-Si:H/μc-Si:H |
| 工藝氣體 | SiH4、H2、PH3（H2 稀釋 2%）、B2H6（H2 稀釋 3%）等 |
| 膜層厚度、均勻性 | ≤10nm，均勻性±10% |
| 載板溫度均勻性 | ≤10℃ |
| 上下料自動化配套 | 自主技術 |
| 運營耗材、備件成本 |
0.0235 元/W （預計值，以實際發(fā)生為準） |
| 設備尺寸（長寬高） | 33 米×20 米×4.5 米 |
| 預期電池效率、與產線其它段工序兼容性 | ≥25.0%、兼容性好，上下游工段設備無需做特殊調整。 |
HAC201-8000型號HoFCVD及上下料自動化布局圖（圖片僅供參考）
HoFCVD的鍍膜原理是依靠高溫金屬絲催化裂解反應氣體（硅烷、氫氣等），生成不帶電的活性基團，然后在襯底表面反應成膜。其原理與PECVD的依靠高頻電磁場震蕩反應生成帶電活性基團，然后轟擊襯底表面反應成膜是不同的。另，本司對HoFCVD設備的構造、上下料自動化系統(tǒng)都進行了革新設計，使其鍍膜性能、產能、自動化的方便使用程度、整套系統(tǒng)的稼動率等方面均有了顯著的進步，主要特點如下：
產能大，價格低、運營成本低：每小時8000片(166-182mm尺寸)；設備價格顯著低于PECVD；運營成本比PECVD低（~10%），低價供應耗材“熱絲”。
鍍膜質量好、易于實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備、特氣耗量低：HoFCVD相比于PECVD原理上的優(yōu)點：無等離子體濺射損傷，提高界面質量；特氣消耗量為PECVD的1/10—1/100。反應基團溫度高，易于實現(xiàn)微晶硅膜的制備。
無粉塵產生，免NF3刻蝕：提高有效工作時間（稼動率）≥5%，減少特氣消耗和排放處理；
非吸盤式取放硅片：徹底消除吸盤印，減少碎片率；
自動化模塊式構造：減少設備宕機（稼動率≥90%），減少設備維護難度和備件成本；
立式結構：可有效避免粉塵顆粒污染表面，提高連續(xù)生產太陽電池填充因子和良品率；
設備占地空間少，節(jié)省廠務成本。
與產線上下游工序兼容性好。
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